Naukowcy z Uniwersytetu Tsinghua w Pekinie opracowali FlexRAM, czyli pierwszą w pełni elastyczną, rezystancyjną pamięć RAM zbudowaną z ciekłego metalu. Nowe odkrycie może zrewolucjonizować robotykę, medycynę, a nawet usprawnić interfejsy mózg-maszyna.
Elastyczne układy scalone mogą zrewolucjonizować rynek komputerów, jednak do tej pory problemem było opracowanie elastycznych pamięci dla takich układów. Przełomu dokonali naukowcy z Uniwersytetu Tsinghua w Pekinie.
Elastyczna pamięć RAM
Mowa o urządzeniu FlexRAM, czyli w pełni elastyczne, rezystancyjne urządzenie z pamięcią o dostępie swobodnym. Odkrycie zostało opisane w czasopiśmie Advanced Materials (jeśli jesteście zainteresowani, tam znajdziecie wszystkie szczegóły dotyczące wynalazku).
Przyłożenie impulsów napięcia powoduje utlenianie lub redukcję metalu, co umożliwia przełączanie pomiędzy stanami wysokiej i niskiej rezystancji i uzyskanie wartości 1 i 0
Naukowcy wykorzystali kropelki ciekłego metalu na bazie galu, które zawieszono w miękkim materiale biopolimerowym. Przyłożenie impulsów napięcia powoduje utlenianie lub redukcję metalu, naśladując polaryzację neuronów – takie działanie umożliwia odwracalne przełączanie pomiędzy stanami wysokiej i niskiej rezystancji, co odpowiada bitom 1 i 0 i w efekcie możliwości przechowywania danych. Nawet po odłączeniu zasilania, dane pozostają w obojętnej cieczy przez 12 godzin.
FlexRAM to pierwsza pierwszą w pełni elastyczna, rezystancyjna pamięć RAM zbudowana z ciekłego metalu
Pamięć FlexRAM obecnie jest w fazie wczesnego prototypu. Urządzenie oferuje osiem niezależnych 1-bitowych jednostek pamięci, dzięki czemu może przechowywać 1 bajt informacji. Zmniejszenie kropelek pozwoli znacząco zwiększyć gęstość pamięci.
Wczesna wersja rozwojowa cechuje się niewielką wytrzymałością na poziomie 3500 cykliu zapisu, ale do opracowania finalnej wersji i praktycznego wykorzystania pamięci na pewno konieczne będzie zwiększenie tego parametru – naukowcy mówią o możliwości milionów cyklu zapisu.
Nadchodzi rewolucja w komputerach
FlexRAM to przełom w elektronice, który może przynieść rozwój robotyki miękkiej, interfejsów mózg-maszyna oraz urządzeniach elektronicznych do noszenia/wszczepiania.
“Ten przełom fundamentalnie zmienia tradycyjne pojęcie elastycznej pamięci, oferując teoretyczne podstawy i ścieżkę techniczną dla przyszłych inteligentnych robotów, systemów interfejsów mózg-maszyna oraz urządzeń elektronicznych do noszenia/implantacji” – powiedział Jing Liu, profesor na wydziale inżynierii biomedycznej na Uniwersytecie Tsinghua.
Źródło: IEEE, Advanced Materials
Zgłoś naruszenie/Błąd
Oryginalne źródło ZOBACZ
Dodaj kanał RSS
Musisz być zalogowanym aby zaproponować nowy kanal RSS